U3的512M容量版本采用了三星生产的编号为K9K4G08U0M单片闪存，这是目前相对比较主流的NAND型闪存芯片，工作频率为20MHz，编号其中的4G表示4Gbit，也就是512MB。
三星K9K4G08U0M闪存芯片架构图
1Page=(2K+64)Bytes
1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes
1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits
三星K9K4G08U0M闪存芯片地址信息
其中：A0～11对页内进行寻址，可以被理解为“列地址”，A12～29对页进行寻址，可以被理解为“行地址”。为了方便，“列地址”和“行地址”分为两组传输，而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在最后一个周期会有若干数据线无信息传输。没有利用的数据线保持低电平。
读取性能：
K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs；
K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s。
写入性能：
K9K4G08U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs；
K9K4G08U0M实际写传输率：2112字节/405.9μs=5MB/s。
三星K9K4G08U0M闪存芯片封装图
K9K4G08U0M功能结构图